| Rango de onda | : | 190-1100nm |
| Ancho de banda espectral | : | 2nm (5nm, 4nm, 1nm, 0,5nm opcional) |
| Precisión de longitud de onda | : | ±0.3nm |
| Reproducibilidad de longitud de onda | : | ≤0.15nm |
| Sistema Fotométrico | : | Doble haz, escaneo automático, detectores duales |
| Precisión fotométrica | : | ±0,3τ (0~100τ) ±0,002A (0~0,5A) ±0.004A (0.5~1A) |
| Reproducibilidad fotométrica | : | ≤0.15%τ |
| Modo de trabajo | : | T, A, C, E |
| Rango fotométrico | : | -0.3-3.5A |
| Luz extraviada | : | ≤0.05%τ (Nal, 220nm, NaNO2 360nm) |
| Planitud de línea de base | : | ±0.002A |
| Estabilidad | : | ≤0.001A/h (a 500nm, después de calentar) |
| Ruido | : | ±0.001A (a 500nm, después de calentar) |
| Mostrar | : | LCD azul claro de 6 pulgadas de alto |
| Detector | : | fotodiodo de silicio |
| Fuerza | : | CA 220 V/50 Hz, 110 V/60 Hz 180 W |
| Dimensiones | : | 630×470×210mm |
| Peso | : | 26kg |
| Rango de onda | : | 190-1100nm |
| Ancho de banda espectral | : | 2nm (5nm, 4nm, 1nm, 0,5nm opcional) |
| Precisión de longitud de onda | : | ±0.3nm |
| Reproducibilidad de longitud de onda | : | 0.15nm |
| Sistema Fotométrico | : | Supervisión de relación de haz dividido, exploración automática, detectores duales |
| Precisión fotométrica | : | ±0,3τ (0~100τ) ±0,002A (0~0,5A) ±0.004A (0.5~1A) |
| Reproducibilidad fotométrica | : | 0,2% |
| Modo de trabajo | : | T, A, C, E |
| Rango fotométrico | : | -0.3-3A |
| Luz extraviada | : | ≤0.05%τ (Nal, 220nm, NaNO2 360nm) |
| Planitud de línea de base | : | ±0.002A |
| Estabilidad | : | ≤0.001A/30min (a 500nm, después de calentar) |
| Ruido | : | ±0.001A (a 500nm, después de calentar) |
| Mostrar | : | LCD azul claro de 6 pulgadas de alto |
| Detector | : | fotodiodo de silicio |
| Fuerza | : | CA 220 V/50 Hz, 110 V/60 Hz 180 W |
| Dimensiones | : | 630×470×210mm |
| Peso | : | 26kg |
| Rango de onda | : | 190-1100nm |
| Ancho de banda espectral | : | 2nm (5nm, 1nm, opcional) |
| Precisión de longitud de onda | : | ±0.3nm |
| Reproducibilidad de longitud de onda | : | 0.2nm |
| Sistema Fotométrico | : | Haz simple, rejilla plana de 1200L/mm |
| Precisión fotométrica | : | ±0,3τ (0~100τ) ±0,002A (0~0,5A) ±0.004A (0.5~1A) |
| Reproducibilidad fotométrica | : | ≤0.15%τ |
| Modo de trabajo | : | T, UN(-0.3-3A), C, E |
| Rango fotométrico | : | -0.3-3A |
| Luz extraviada | : | ≤0.05%τ (Nal, 220nm, NaNO2 360nm) |
| Planitud de línea de base | : | ±0.002A |
| Estabilidad | : | ≤0.001A/30min (a 500nm, después de calentar) |
| Ruido | : | ±0.001A (a 500nm, después de calentar) |
| Mostrar | : | LCD azul claro de 6 pulgadas de alto |
| Detector | : | fotodiodo de silicio |
| Fuerza | : | CA 220 V/50 Hz, 110 V/60 Hz 140 W |
| Dimensiones | : | 530×410×210mm |
| Peso | : | 18 kg |
| Rango de onda | : | 320-1100nm |
| Ancho de banda espectral | : | 2nm (5nm, 1nm, opcional) |
| Precisión de longitud de onda | : | ±0.5nm |
| Reproducibilidad de longitud de onda | : | 0.2nm |
| Sistema Fotométrico | : | Haz simple, rejilla plana de 1200L/mm |
| Precisión fotométrica | : | ±0,3τ (0~100τ) ±0,002A (0~0,5A) ±0.004A (0.5~1A) |
| Reproducibilidad fotométrica | : | ≤0.15%τ |
| Modo de trabajo | : | T, A, C, E |
| Rango fotométrico | : | -0.3-3A |
| Luz extraviada | : | ≤0.05%τ (Nal, 220nm, NaNO2 360nm) |
| Planitud de línea de base | : | ±0.002A |
| Estabilidad | : | ≤0.001A/30min (a 500nm, después de calentar) |
| Fuente de luz | : | Lámpara halógena de tungsteno |
| Mostrar | : | LCD azul claro de 6 pulgadas de alto |
| Detector | : | fotodiodo de silicio |
| Fuerza | : | CA 220 V/50 Hz, 110 V/60 Hz 140 W |
| Dimensiones | : | 530×410×210mm |
| Peso | : | 18 kg |